SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。
可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)內(nèi)，新能源汽車(chē)是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場(chǎng)景。特斯拉作為技術(shù)先驅(qū)，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他一線(xiàn)車(chē)企亦皆計(jì)劃擴(kuò)大碳化硅的應(yīng)用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術(shù)的逐步成熟，碳化硅功率器件行業(yè)未來(lái)可期。
中科檢測(cè)能提供專(zhuān)業(yè)的SiC器件檢測(cè)服務(wù)，出具的SiC器件檢測(cè)報(bào)告。

（1）碳化硅肖特基二極管
（2）碳化硅功率晶體管

可靠性試驗(yàn)：
低溫試驗(yàn)、高溫試驗(yàn)、濕熱試驗(yàn)、快速溫變?cè)囼?yàn)、振動(dòng)（正弦）試驗(yàn)、三綜合（振動(dòng)+溫濕度環(huán)境）試驗(yàn)、隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)、低頻振動(dòng)試驗(yàn)、高頻振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)試驗(yàn)、防塵防水試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)（二氧化硫、硫化氫、二氧化氮、氯氣）
電性能測(cè)試：
接觸電阻測(cè)試、絕緣電阻測(cè)試、泄漏電流測(cè)試、電阻率/導(dǎo)電率測(cè)試、導(dǎo)體電阻測(cè)試

GB/T 5095.2.1997 電子設(shè)備用機(jī)電元件基本試驗(yàn)規(guī)程及測(cè)量方法 第2部分：一般檢查、電連續(xù)性和接觸電阻測(cè)試、絕緣試驗(yàn)和電壓應(yīng)力試驗(yàn)
IEC 60068-2-42:2003 環(huán)境試驗(yàn) 第2-42部分:試驗(yàn) 試驗(yàn)Kc：觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)
GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc：接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N：溫度變化
GB/T 2423.27-2020 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)方法和導(dǎo)則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗(yàn)
GB/T 2423.33-2021 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kca：高濃度二氧化硫試驗(yàn)
GB/T 2423.34-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AD：溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)
GB/T 2423.61-2018 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)和導(dǎo)則：大型試件砂塵試驗(yàn)
GB/T 2423.63-2019 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)：溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(混合模式)綜合
GB/T 2423.38-2021 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)R：水試驗(yàn)方法和導(dǎo)則