SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢。
可預(yù)見的未來內(nèi)，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場景。特斯拉作為技術(shù)先驅(qū)，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他一線車企亦皆計劃擴大碳化硅的應(yīng)用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術(shù)的逐步成熟，碳化硅功率器件行業(yè)未來可期。
中科檢測能提供專業(yè)的SiC器件檢測服務(wù)，出具的SiC器件檢測報告。

（1）碳化硅肖特基二極管
（2）碳化硅功率晶體管

可靠性試驗：
低溫試驗、高溫試驗、濕熱試驗、快速溫變試驗、振動（正弦）試驗、三綜合（振動+溫濕度環(huán)境）試驗、隨機振動試驗、低頻振動試驗、高頻振動試驗、沖擊試驗試驗、防塵防水試驗、氣體腐蝕試驗（二氧化硫、硫化氫、二氧化氮、氯氣）
電性能測試：
接觸電阻測試、絕緣電阻測試、泄漏電流測試、電阻率/導(dǎo)電率測試、導(dǎo)體電阻測試

GB/T 5095.2.1997 電子設(shè)備用機電元件基本試驗規(guī)程及測量方法 第2部分：一般檢查、電連續(xù)性和接觸電阻測試、絕緣試驗和電壓應(yīng)力試驗
IEC 60068-2-42:2003 環(huán)境試驗 第2-42部分:試驗 試驗Kc：觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kc：接觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化
GB/T 2423.27-2020 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗方法和導(dǎo)則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗
GB/T 2423.33-2021 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kca：高濃度二氧化硫試驗
GB/T 2423.34-2012 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/AD：溫度/濕度組合循環(huán)試驗
GB/T 2423.61-2018 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗和導(dǎo)則：大型試件砂塵試驗
GB/T 2423.63-2019 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗：溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(混合模式)綜合
GB/T 2423.38-2021 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗R：水試驗方法和導(dǎo)則